Atomic structure of GaAs nanowires and InAs/GaAs graded interfaces in nanowires grown under VLS conditions The XXXIII Annual Meeting of the Electron Microscopy Society of India, Bangalore -2012

Publikation: Andet › Andet bidrag › Forskning

Dokumenter

OriginalsprogEngelsk
Publikationsdato2 jul. 2012
UdgivelsesstedBangalore, India
StatusUdgivet - 2 jul. 2012

Antal downloads er baseret på statistik fra Google Scholar og www.ku.dk


Ingen data tilgængelig

ID: 41843037