Gate-tunable high mobility remote-doped InSb/In1-xAlxSb quantum well heterostructures
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Artikelnummer | 142103 |
Tidsskrift | Applied Physics Letters |
Vol/bind | 106 |
Udgave nummer | 14 |
Antal sider | 5 |
ISSN | 0003-6951 |
DOI | |
Status | Udgivet - 6 apr. 2015 |
Links
- http://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1503/1503.06710.pdf
Indsendt manuskript
ID: 154144981