Facet structure of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Tidsskrift | Applied Physics Letters |
Vol/bind | 91 |
Udgave nummer | 8 |
Sider (fra-til) | 083106 |
ISSN | 0003-6951 |
DOI | |
Status | Udgivet - 22 aug. 2007 |
ID: 9513663