Atomic structure of GaAs nanowires and InAs/GaAs graded interfaces in nanowires grown under VLS conditions The XXXIII Annual Meeting of the Electron Microscopy Society of India, Bangalore -2012
Publikation: Andet › Andet bidrag › Forskning
Dokumenter
- The XXXIII Annual Meeting
Indsendt manuskript, 376 KB, PDF-dokument
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Publikationsdato | 2 jul. 2012 |
Udgivelsessted | Bangalore, India |
Status | Udgivet - 2 jul. 2012 |
Antal downloads er baseret på statistik fra Google Scholar og www.ku.dk
Ingen data tilgængelig
ID: 41843037