Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Artikelnummer | 064001 |
Tidsskrift | Nanotechnology |
Vol/bind | 30 |
Udgave nummer | 6 |
Antal sider | 8 |
ISSN | 0957-4484 |
DOI | |
Status | Udgivet - 8 feb. 2019 |
Links
- https://arxiv.org/pdf/1810.03359
Indsendt manuskript
ID: 216157829