Ambipolar transistor behavior in p-doped InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Udgivelsesdato: 2008
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Tidsskrift | Applied Physics Letters |
Vol/bind | 92 |
Udgave nummer | 1 |
Sider (fra-til) | 012119 |
ISSN | 0003-6951 |
DOI | |
Status | Udgivet - 2008 |
- Det Natur- og Biovidenskabelige Fakultet
Forskningsområder
ID: 9513620