Characterization of top-gated Si/SiGe devices for spin qubit applications
Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport › Konferencebidrag i proceedings › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Titel | 2019 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) |
Udgivelsessted | Kyoto, Japan |
Forlag | IEEE |
Publikationsdato | 9 jun. 2019 |
Sider | 111-112 |
DOI | |
Status | Udgivet - 9 jun. 2019 |
Navn | IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) |
---|---|
ISSN | 2161-4636 |
ID: 234084719